シリコンウェハーの超音波洗浄技術について
2021-08-12
半導体材料の製造プロセスでは、どの工程においても洗浄が不可欠であり、洗浄の品質は次の工程に直接影響を及ぼすだけでなく、デバイスの歩留まりや信頼性にも重大な影響を及ぼします。ULSIの集積度が急速に向上し、デバイスの寸法が小さくなるにつれて、ウェハー表面の汚染に対する要求はますます厳しくなっています。ULSIプロセスでは、供給される基板上に付着する不純物が500個/m²×0.12μm以下、金属汚染は10¹⁰原子/cm²未満と定められています。ウェハー製造プロセスの各工程で潜在的に存在する汚染は、いずれも欠陥の発生やデバイスの機能不全を引き起こす可能性があります。そのため、シリコンウェハーの洗浄は専門家から高い注目を集めています。以前は多くのメーカーが手洗いを行っていましたが、この方法には人為的要因が多く、一方では破片が発生しやすく経済効果が低下するほか、手洗いによるウェハー表面の清浄度が低く、汚染が深刻なため、次の工程である化学研磨・腐食プロセスにおける合格率が低下していました。そのため、シリコンウェハーの洗浄技術への関心が高まり、シンプルで効果的な洗浄方法を見つけることが急務となっています。専門家が提案する超音波洗浄技術は、シリコンウェハーの洗浄効果が顕著であり、広く普及させる価値のある洗浄技術です。
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